一、中心概况
微纳量子光子实验中心于2018年启动建设，是“低维量子结构与器件”工业与信息化部重点实验室的重要组成部分，实验中心面向信息产业发展的重大需求，低维量子结构、新型器件的研究，以平台实现人才汇聚。目前承担十多项国际自然科学基金等前沿项目课题，主要研究面向储存、显示、光电、探测、传感等器件。围绕优势资源，中心已凝聚一批相关研究方向的青年教师。中心拥有面积500多平米，总价值2800余万元实验仪器，具备纳米结构制备表征、器件制备测量、光电磁性能测试等先进设备，面向全校开放共享。
中心地址：bob手机在线登陆中关村校区4号教学楼一层东侧
电话：010-68914232
二、主要设备
1.矢量磁场低温超高真空扫描隧道显微镜
主要功能和技术参数：可用于观察超导现象与电子能带结构，量子尺度下的原子与分子形貌及性质，强磁场下的自旋极化响应及调控等。利用电子隧道效应成像，观察和测量结构及量子效应，可以实现多种极端条件下的高分辨率。其分辨率可以达到原子量级，超低温可以实现0.4开尔文，真空度好于1.3e-8Pa，最大施加磁场强度为9特斯拉。样品要求导电。
2.超高真空原子力操控与成像系统
主要功能和技术参数：是现有空间分辨率最高的表征手段，可以从单分子、单原子、单个键结构水平研究材料的形貌结构，电学性质等。空间分辨率低于0.1nm，真空度可达到1.5e-10mbar，样品温度控制范围15K-1400K，红外测温仪200-1500度，qPlus在液氮及液氦冷却下可分辨<2pm机械噪音，频率分辨率在液氦冷却下可<50MHz，qPlus传感器振幅<50pm。对样品的导电性没有要求。
3.可调谐飞秒激光器系统
主要功能和技术参数：主要作为基础光源，提供从可见光到近红外波段高重复飞秒脉冲激光，可应用于材料分析、非线性光学效应研究、生物学等多领域方向。
4.低温液氦介质保障系统（LHeP28氦气纯化液化系统）
主要功能和技术参数：用于对低温设备在使用过程中补充低温液氦；对液氦消耗后的变为气体，可进行回收、纯化及液化，实现对稀有氦气资源的循环利用。氦气液化能力≥18升/天，输入氦气流量13.6SLPM，输入氦气纯度≥99.99%，杜瓦容量150L，整套系统的氦资源回收率≥90%。氦气气囊300ft3，进入自动纯化器的氦气纯度与回收前浓度差别≤1%，中压储罐储量为12.3立方/罐，中压氦压缩机流速241SLPM，最大工作压力27.6bar。
5.高性能气相沉积系统
主要功能和技术参数：完成半导体光电器件有源层、界面层及金属电极层的热蒸发沉积，沉积速度和精度可控制在0.1Å水平。
1.真空室内有6套蒸发源，其中有4个有机蒸发源，2个金属蒸发源，带有电动挡板的有机蒸发源，该蒸发源加热温度均匀，寿命长达1000小时以上。
2.系统的本底极限真空度：≤8×10-5Pa。
3.具备制备6英寸及以下尺寸基片的能力。
4.样品台可加热，加热温度最高可达350摄氏度，控温精度±1摄氏度。
5.样品台可以在0-20RPM的范围内匀速转动。
6.镀膜均匀性指标：6英寸硅片镀制150nm以上的薄膜，均匀性不大于+/-5%。
7.膜厚控制器一套，3路晶振探头，膜厚最小显示精度不大于0.1A/s。
6.Angstrom Engineering Amod 热蒸发镀膜机
主要功能和技术参数：在高真空的环境下，对金属及化合物等进行热阻蒸发，通过电极柱加热后，使材料达到蒸发温度后气化蒸发，电子束蒸发系统可进一步提升蒸镀精度，可蒸镀具有超高沸点的金属和金属化合物，并使其在样品台上沉积成膜，通过镀膜控制系统的控制，从而制备出所需材料的薄膜；适用于制备多种重要的化合物半导体器件，包括晶管体、探测器、太阳能电池、激光器等领域。长x宽x高=500mmx500mmx500mm；热蒸发源（坩埚）容量为2cc的坩埚，加热温度范围0-1200度；Telemark 6，7cc的电子穴蒸发，电源功率为6kw；可以安装直径156mmx156mm的样品台。
7.HORIBA UVISEL Plus 相位调制型椭圆偏振光谱仪
主要功能和技术参数：对薄膜光学器件的特性，如薄膜厚度，材料分布情况以及材料本征的特征光学参数进行测量。保证对器件材料的精确表征、标定。应用于测量各类薄膜的膜厚及光学参数（n,k），对特殊结构的材料具有光学性能分析能力。测量范围：Psi=0°- 90°,Delta=0°-360°；配置色散公式≥31个，材料模型≥300个；光谱范围覆盖190nm-2100nm；高稳定75w氙灯；微光斑：包括50um,100um，1mm三个针孔尺寸。
8.半导体分析仪
主要功能和技术参数：半导体分析仪将多种测量和分析功能整合到一台仪器中，可精确快速地进行器件表征。可以进行从基础电流-电压（IV）和电容-电压（CV）表征到最佳快速脉冲IV测试的全方位测量。