报告人：慈鹏弘研究员(深圳大学)

时间：2022年12月24日(周六)晚上19：00-21：00

地点：线上会议，腾讯会议：931-112-798

摘要：

目前国产高端芯片在多个技术领域屡屡受限，其中一个关键瓶颈是半导体缺陷制约了晶体管性能的提升。围绕纳米尺度下、半导体能带工程和缺陷物理的研究主线，本报告将介绍：

（1）利用深能级瞬态谱技术，精确标定二维半导体中、本征缺陷在能带引入的深能级的具体位置和物理特性；

（2）利用金刚石对顶砧技术，调控半导体能带结构，量化二维半导体层间的范德华作用力；

（3）通过悬浮微器件热桥法测试平台，精确测量一维半导体的热导率，探讨同位素缺陷/声子散射机制；

（4）通过螺旋位错缺陷，调制二维半导体的对称性。

简历：

慈鹏弘，深圳大学高等研究院，研究员。2020年博士毕业于加州大学伯克利分校，并在伯克利继续从事博士后研究，2021年入职深圳大学。主要从事低维半导体的缺陷物理与应用、微纳尺度半导体热输运等方面的研究。以第一作者的身份，在Nature Communications、Physical Review Letters、Nano Letters发表多篇研究论文。

Email:ci@berkeley.edu

联系方式：xiangli@bit.edu.cn

邀请人：李翔教授

网址：http://physics.bit.edu.cn/

承办单位：物理学院、先进光电量子结构设计与测量教育部重点实验室